Схема подключения транзистора п213б

схема подключения транзистора п213б
Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Особый случай представляют платы, у которых и проводники, и детали размещены на одной стороне, причем детали припаяны к проводникам без отверстий. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Именно так происходит усиления сигнала в биполярном транзисторе. Основная статья: Каскад с общим эмиттером Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх = Iк/Iб = Iк/(Iэ-Iк) = α/(1-α) = β [β>>1]. Входное сопротивление: Rвх = Uвх/Iвх = Uбэ/Iб. Достоинства Большой коэффициент усиления по току. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено эффектом Миллера.


Стрелка омметра отклоняется от своего начального положения, показывая сопротивление обмотки. Переход Б-К при обратном включении… Переход Б-Э при обратном включении. В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен. Важной характеристикой является входное сопротивление Rвх, которое определяется по закону Ома: и составляет обычно от сотен Ом до едениц килоом. Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (ток базы). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Транзисторы классифицируют по материалу полупроводника, подразделяя на германиевые, кремниевые, из арсенида галлия и прочие.

Входным током каскада выступает ток базы транзистора, а выходным током – ток коллектора. Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Обрыв обмотки фиксируется по бесконечно большому сопротивлению между ее выводами. Продифференцируем выражение (3), тогда входное сопротивление схемы с общим эмиттером можно определить по следующей формуле: (4) Однако график реальной входной характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, отличается от экспоненциальной функции.

Похожие записи: